Karbid křemíku (SiC) patří mezi polovodiče, které zvládnou až desetinásobně vyšší napětí než běžné křemíkové součástky, dokáží pracovat při vyšších teplotách a přenášet proudy vysoké intenzity. Zároveň umožňují zmenšit velikost čipu až o 90 %. Díky těmto vlastnostem jsou klíčovým materiálem pro výkonovou elektroniku nové generace.
Při výrobě zařízení ze SiC hraje důležitou roli ztenčování waferů – krok nezbytný pro zajištění kvality, snížení výrobních nákladů a udržení konkurenceschopnosti. Tradiční broušení diamantovými kotouči má však nízkou rychlost úběru materiálu a nástroje se rychle opotřebovávají. Laserové technologie nabízejí slibnou, a v některých případech i jedinou, alternativu. Umožňují rychlejší zpracování, menší deformaci waferů a potenciálně i vyšší výtěžnost výroby.
Cíle projektu
Cílem projektu je vyvinout vysoce výkonný systém pro laserové broušení SiC waferů, který bude zahrnovat:
- Speciálně navržený vysokovýkonný pevnolátkový laser
- Optimalizované procesní parametry (vlnová délka, šířka pulzu, energie na pulz, opakovací frekvence)
- Stroj pro laserové broušení s integrovanou optoelektronikoue
- Kvalifikované postupy pro zpracování polovodičů
Partneři projektu:
- HiLASE Centre (FZU) | (Czech Republic)
- onsemi | (Czech Republic)
- iDensyn | (Taiwan)
- DEUVtek | (Taiwan)
Program: Technologická agentura České republiky – Tchajwansko-český bilaterální program SIGMA (Spolufinancovaný projekt VaV)
Číslo projektu: TQ16000033
Očekávané výstupy
- Laserově broušené SiC wafery pro polovodičové aplikace
- Kvalifikovaná technologie laserového broušení pro zpracování SiC waferů
- Vysokovýkonný tenkodiskový laserový systém přizpůsobený pro broušení SiC
- Integrovaný systém pro broušení SiC waferů
Tato spolupráce mezi tchajwanskými a českými partnery přinese inovativní, nákladově efektivní a účinné výrobní řešení pro polovodičový průmysl. Kromě broušení SiC waferů lze vyvinutou laserovou platformu přizpůsobit i pro další náročné materiály – od plastů a skla až po kompozity a kovy.
