Prahy tání polovodičů při ozařování nanosekundovými laserovými pulzy ODBORNÝ ČLÁNEK

Vědecký tým Centra HiLASE publikoval nový odborný článek na téma Prahy tání polovodičů při ozařování nanosekundovými laserovými pulzy v časopise Applied Sciences.

Hlavním autorem je Jiří Beránek (Ph.D. student: Laser matter interaction), který touto publikací zakončuje svou disertační práci. Na článku se podíleli také Alexandr V. Bulgakov (vedoucí týmu Nanomateriály) a Nadezhda M. Bulgakova (vedoucí oddělení Vědecké aplikace laserů a vedoucí týmu Laser matter interaction).

Paper

Abstrakt:

V tomto článku představujeme výsledky výpočtu prahu tání a počátečních fází tání na základě jednotného numerického modelu pro několik polovodičových materiálů (Si, Ge, GaAs, CdTe a InP) při ozáření nanosekundovými pulzy. Používáme poměrovou metodu pro určení množství roztátého materiálu pro hladký přechod přes bod tání. Výsledky jsou porovnány s předchozími teoretickými a experimentálními výsledky. V rámci studie byla shromážděna dostupná data o termofyzikálních a optických vlastnostech zkoumaných materiálů, aby bylo dosaženo co nejvěrnějšího popisu teplotně závislých vlastností studovaných materiálů tam, kde jsou tato data dostupná. Výsledky jsou zobecněny pomocí vzorce, který umožňuje výpočet prahu tání pro různé polovodiče na základě jejich vlastností a parametrů laseru.

Přečtěte si celý článek.